Все дипломы
Электротехника
Добавить в закладки

<< В начало | < Предыдущая | Содержание | Следующая > | В конец >>

Бобровский П. Л.

Бобровский Павел Леонидович, кандидат технических наук. Родился 16 октября 1956 года в городе Находка Приморского края. ...
далее



Мудро о науке

...каждый выдающийся исследователь вносит свое имя в историю науки не только собственными открытиями, но и теми открытиями, к которым он побуждает других.



Таким образом реализуется логический элемент “ИЛИ-НЕ” на полевых транзисторах.

Особенностью логических элементов на полевых транзисторах является то, что сам логический элемент не потребляет тока от источника питания.

Ток может потребляться только цепью нагрузки, кроме того, в переходных режимах, когда происходит смена состояний, могут существовать короткие промежутки времени, за счет перезарядки собственных емкостей полевых транзисторов от источника питания потребляется незначительный импульсный ток на перезарядку емкости.

Но в целом мощность, потребляемая КМОП, меньше, чем элементами ТТЛ, на несколько порядков.

В некоторых случаях возможны такие состояния, характерные как для КМОП, так и ТТЛ элементов. При работе на высокой частоте, когда за счет инерционности транзисторов нижние транзисторы еще не успели закрыться , а верхние уже открылись и наоборот.

Тогда в схеме может возникать сквозной ток от источника питания через цепь последовательно включенных транзисторов. Величина этого сквозного тока может быть довольно существенной, но протекает он очень короткое время, определяемое быстродействием транзисторов. За счет этого сквозного тока могут возникать провалы напряжения в цепи питания короткой длительности.

Эти импульсные помехи по цепи питания могут передаваться на другие элементы схемы, вызывая ложное их срабатывание.

Для борьбы с такими импульсными помехами по техническим условиям рекомендуется на каждый корпус микросхемы ставить блокирующую емкость между “+” и “-” выводами в цепи питания. Емкость должна обладать микроскопически малой собственной индуктивностью, следовательно, применяют керамические емкости небольшой величины (10 нФ).

40. Схема “И-НЕ” КМОП- типа

Имеет подобную структуру из 4 транзисторов. Нижние транзисторы соединены последовательно, верхние - параллельно.

Рис.9.13. Принципиальная схема элемента И-НЕ КМОП-типа


<< В начало | < Предыдущая | Содержание | Следующая > | В конец >>

Искать на сайте


Цитата

...«2. СОГЛАСОВАНИЕ ИСТОЧНИКА СИГНАЛА И НАГРУЗКИ С УПТ В УПТ в качестве усилительных каскадов могут при»...
подробнее

Партнеры

коррекция фигуры velashape и лечение целлюлита. Снижение веса |
Голосование читателей
У вас ум за разум заходит?
Он всегда там.
Редко
Скорее наоборот


Мнения пользователей
Схема нарисована плохо: не обозначены точки соедин...
Автор: Антон
молодец...
Автор: уке
Очень не хватает схем и графиков ...
спасибо! просто и доходчиво!...
Автор: ЕВГЕНИЙ


Наука России - Наше будущее!